3.0寄存器
3.4发送控制寄存器
CN8223
ATM发射器/接收器与UTOPIA接口
0x04-0x07 - CELL_GEN_x (细胞生成控制寄存器)
该CELL_GEN_x寄存器位于地址0x04-0x07 。每四个先进先出端口具有其自己的ATM信
细胞生成控制寄存器,因此x是0,1, 2或3。细胞生成中详细描述
A
CELL_GEN_x控制寄存器地址的描述中提供
表3-7 。 CELL_GEN_x控制寄存器地址
地址
0x04
0x05
0x06
0x07
注册名称
CELL_GEN_0
CELL_GEN_1
CELL_GEN_2
CELL_GEN_3
描述
电池发电控制端口0 + UTOPIA
电池发电控制端口1
电池发电控制端口2
电池发电控制端口3
位
15, 14
13
12
11
10
9
场
SIZE
2
1
1
1
1
1
名字
版权所有
抑制单细胞
GENERATION
错误净荷CRC
HEC错误
禁止载荷
CRC
禁用HEC
设置为0 。
描述
抑制细胞传输从端口的单细胞期,并插入一个空闲
细胞在它的地方。
部队在有效载荷的CRC - 10字段错误。生成一个单一的错误;那么这
位清零。
部队在ATM HEC头字段中的错误。生成一个单一的错误;那么这
位清零。
禁止载荷CRC- 10磁场产生,并允许现有的字段中,从
FIFO的输入传递。
禁止ATM头HEC场( 5字节)的产生,并允许现有的现场
从FIFO输入传递。在TXFEAC_ERRPAT寄存器错误面具
该位通过异或运算与这个面膜差错在HEC字段控制
计算出的HEC ,允许微处理器产生特定数量的
错误。
执行用于中电位相同的插入功能插入GFC (位4) 。
执行相同的插入功能插入GFC (位4)为3位有效载荷
类型字段。
执行用于16位VCI字段相同的插入功能插入GFC (位4) 。
执行用于8位VPI字段相同的功能,在插入GFC (位4) 。
允许从FIFO接口获得的4位GFC字段要与覆盖
在相应的TX_HDR编程寄存器的值[ 0x0C的- 0x13 ] 。这
位仅在52- , 53- ,和57字节的有效模式。在48个字节的模式下, GFC场
总是从TX_HDR寄存器。
允许细胞发生器来分配四个优先级到发射源。
选择操作用于生成电路的模式。
0 0 48字节
0 1 52字节
1 0 53字节
1 1 57字节
8
7
6
5
4
1
1
1
1
1
插电
插入PT
插入VCI
插入VPI
插入GFC
3, 2
1, 0
2
2
端口优先级
细胞生成
模式
3-16
科胜讯
100046C