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    CY62256NLL-70SNXC 参数 Datasheet PDF下载

    CY62256NLL-70SNXC图片预览
    型号： CY62256NLL-70SNXC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K （ 32K ×8 ）静态RAM [256K (32K x 8) Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 14 页 / 567 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY62256NLL-70SNXC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY62256NLL-70SNXC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY62256NLL-70SNXC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY62256NLL-70SNXC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY62256NLL-70SNXC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY62256NLL-70SNXC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY62256NLL-70SNXC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY62256NLL-70SNXC的Datasheet PDF文件第9页  
    CY62256N
    热阻
    参数
    Θ
    JA
    Θ
    JC
    描述
    [5]
    热阻
    （结到环境）
    热阻
    （结点到外壳）
    测试条件
    静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125
    寸， 4层印刷电路板
    DIP
    75.61
    43.12
    SOIC
    76.56
    36.07
    TSOP
    93.89
    24.64
    RTSOP
    93.89
    24.64
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    图3. AC测试负载和波形
    5V
    产量
    100 pF的
    INCLUDING
    夹具
    范围
    R2
    990Ω
    R1 1800Ω
    R1 1800Ω
    5V
    产量
    5 pF的
    INCLUDING
    夹具
    范围
    R2
    990Ω
    3.0V
    GND
    10%
    所有的输入脉冲
    90%
    90%
    10%
    ＆ LT ; 5纳秒
    ＆ LT ; 5纳秒
    (a)
    (b)
    相当于：
    该
    蛇毒等效
    639Ω
    产量
    1.77V
    数据保持特性
    参数
    V
    DR
    I
    CCDR
    描述
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    L
    LL-商用
    LL - 工业/汽车-A
    LL - 自动-E
    t
    CDR[8]
    t
    R
    [8]
    条件
    [6]
    V
    CC
    = 2.0V ， CE＆ GT ; V
    CC
    −
    0.3V,
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    −
    0.3V或V
    IN
    ＆ LT ; 0.3V
    民
    2.0
    典型值
    [2]
    2
    0.1
    0.1
    0.1
    最大
    50
    5
    10
    10
    单位
    V
    μA
    μA
    μA
    μA
    ns
    ns
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间
    0
    t
    RC
    图4.数据保存波形
    数据保持方式
    V
    CC
    CE
    3.0V
    t
    CDR
    V
    DR
    ＆ GT ; 2V
    3.0V
    t
    R
    记
    6.无输入可能超过V
    CC
    + 0.5V.
    文件编号： 001-06511修订版* B
    第14页4
    [+ ]反馈

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