CY7C008/009
CY7C018/019
开关特性
在整个工作范围
[13]
（续）
CY7C008/009
CY7C018/019
-12
[1]
参数
忙碌计时
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD[20]
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
BUSY （从）后R / W高
R / W高忙后高（从）
繁忙的到数据有效
5
0
11
12
12
12
12
12
5
0
13
15
15
15
15
15
5
0
15
20
20
20
20
17
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
中断时序
t
插件
t
INR
INT设置时间
INT复位时间
12
12
15
15
20
20
ns
ns
SEMAPHORE时序
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
t
SAA
SEM标志更新脉冲（ OE或SEM ）
SEM标志写阅读时间
SEM国旗竞争窗口
SEM地址访问时间
10
5
5
12
10
5
5
15
10
5
5
20
ns
ns
ns
ns
数据保持方式
该CY7C008 / 009和CY7C018 / 019顷设计BAT-
tery备份的初衷。数据保持电压和电源电流
保证在温度。以下规则保证
数据保存：
1.芯片使能（ CE ）必须在数据保持高举行，与 -
在V
CC
到V
CC
– 0.2V.
2. CE必须保持V之间
CC
- 0.2V和V 70 ％
CC
在上电和断电的过渡。
3. RAM就可以开始操作>吨
RC
经过V
CC
到达MIN-
imum工作电压（4.5伏）。
定时
数据保持方式
V
CC
4.5V
V
CC
＆ GT ;
2.0V
4.5V
t
RC
V
IH
CE
V
CC
到V
CC
– 0.2V
参数
ICC
DR1
测试条件
@ VCC
DR
= 2V
马克斯。
1.5
单位
mA
注意事项：
19.使用测试条件是负载1 。
20. t
BDD
是一个计算出的参数和为t的较大
WDD
–t
PWE
（实际的）或T
DDD
–t
SD
（实际的） 。
21. CE = V
CC
, V
in
= GND到V
CC
, T
A
= 25°C 。此参数是保证，但未经测试。
文件编号： 38-06041牧师* C
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
