CY7C027V/027VN/027AV/028V
CY7C037V/037AV/038V
直流输入电压
.................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 1100V
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................. -65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用............................................ -55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位................- 0.5V至+ 4.6V
直流电压适用于
在高阻态输出........................... -0.5V到V
CC
+0.5V
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
3.3V
±
300毫伏
3.3V
±
300毫伏
电气特性
在整个工作范围
CY7C027V/027VN/027AV/028V/CY7C037V/037AV/038V
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
SB4
描述
民
输出高电压
(V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安）
输出低电压（V
CC
=最小值，我
OH
= 4.0毫安）
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流（V
CC
=最大。我
OUT
=0
mA）的输出禁用
待机电流（两个端口TTL
级） CE
L
＆放大器; CE
R
≥
V
IH
, f=f
最大
Com'l 。
IND 。
Com'l 。
IND 。
80
10
75
120
250
105
35
50
−5
–10
125
2.2
0.8
5
10
185
−5
–10
120
140
35
45
75
85
10
10
70
80
2.4
0.4
2.2
0.8
5
10
175
195
45
55
110
120
250
250
95
105
60
80
10
250
65
95
30
40
−5
–10
115
-15
典型值最大值最小值
2.4
0.4
2.2
0.8
5
10
165
-20
典型值
最大
民
2.4
0.4
-25
典型值
最大
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
mA
mA
单位
待机电流（一个端口TTL电平） Com'l 。
CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f=f
最大
IND 。
待机电流（两个端口CMOS
级） CE
L
＆放大器; CE
R
≥
V
CC
−0.2V,
f=0
Com'l 。
IND 。
待机电流（一个端口CMOS列弗Com'l 。
EL） CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f=f
MAX[4]
IND 。
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
2.脉冲宽度< 20纳秒。
3.工业零件是CY7C028V和CY7C038V才可用。
4. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。这仅适用于在输入CMOS电平的待机我
SB3
.
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06078牧师* B
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
