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    CY7C1041B-15ZI 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C1041B-15ZI图片预览
    型号： CY7C1041B-15ZI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×16静态RAM [256K x 16 Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 344 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C1041B-15ZI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY7C1041B-15ZI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1041B-15ZI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1041B-15ZI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1041B-15ZI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1041B-15ZI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY7C1041B-15ZI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C1041B-15ZI的Datasheet PDF文件第9页  
    CY7C1041B
    开关特性
    [4]
    在工作范围（续）
    7C1041B-20
    参数
    读周期
    t
    动力
    t
    RC
    t
    AA
    t
    OHA
    t
    ACE
    t
    美国能源部
    t
    LZOE
    t
    HZOE
    t
    LZCE
    t
    HZCE
    t
    PU
    t
    PD
    t
    DBE
    t
    LZBE
    t
    HZBE
    t
    WC
    t
    SCE
    t
    AW
    t
    HA
    t
    SA
    t
    PWE
    t
    SD
    t
    HD
    t
    LZWE
    t
    HZWE
    t
    BW
    V
    CC
    （典型值）的第一接入
    [5]
    读周期时间
    地址到数据有效
    从地址变化数据保持
    CE低到数据有效
    OE低到DATA有效
    OE低到低Z
    OE高到高Z
    [6, 7]
    CE低到低Z
    [7]
    CE高到高阻
    [6, 7]
    CE为低电时
    CE高到掉电
    字节使能到数据有效
    字节使能以低Z
    字节禁止以高Z
    写周期时间
    CE低到写结束
    地址建立撰写完
    从写端地址保持
    地址建立到开始写
    WE脉冲宽度
    数据建立到写结束
    从写端数据保持
    WE高到低Z
    [7]
    WE低到高Z
    [6, 7]
    字节使能，以结束写的
    13
    20
    13
    13
    0
    0
    13
    9
    0
    3
    8
    15
    0
    8
    25
    15
    15
    0
    0
    15
    10
    0
    5
    10
    0
    20
    8
    0
    10
    3
    8
    0
    25
    10
    0
    8
    5
    10
    3
    20
    8
    0
    10
    1
    20
    20
    5
    25
    10
    1
    25
    25
    1
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    描述
    分钟。
    马克斯。
    7C1041B-25
    分钟。
    马克斯。
    单位
    写周期
    [8, 9]
    数据保持特性
    在整个工作范围
    （只有L型）
    参数
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR[3]
    t
    R[10]
    描述
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    Com'l
    L
    V
    CC
    = V
    DR
    = 3.0V,
    CE > V
    CC
    – 0.3V,
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    - 0.3V或V
    IN
    ＆ LT ; 0.3V
    条件
    [11]
    分钟。
    2.0
    200
    0
    t
    RC
    马克斯。
    单位
    V
    µA
    ns
    ns
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间
    注意事项：
    10. t
    r
    ＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
    r
    < 5纳秒为-20和较慢的速度。
    11.无输入可能超过V
    CC
    + 0.5V.
    5

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