CY7C1049DV33
交流测试负载和波形
[5]
10 ns的设备
产量
50Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
高阻抗特性：
3.3V
产量
5 pF的
R2
351Ω
1.5V
Z = 50Ω
3.0V
90%
所有的输入脉冲
90%
10%
10%
30 pF的*
GND
(a)
R 317Ω
上升时间： 1 V / ns的
(b)
下降时间： 1 V / ns的
(c)
AC开关特性
[6]
在整个工作范围
-10 （工业）
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[8, 9]
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
0
10
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
3
5
0
12
0
5
3
6
3
10
5
0
6
100
10
10
3
12
6
100
12
12
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
-12 （汽车）
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10, 11]
注意事项：
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期2号的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05475牧师* C
第3页8
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