CY7C1061AV33
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
...................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
............................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
测试条件
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
–10
民
2.4
0.4
2.0
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
70
2.0
–0.3
–1
–1
最大
民
2.4
–12
最大
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
260
260
70
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
mA
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
广告
产业
CE
2
< = V
白细胞介素，
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE
2
< = 0.3V
商用/
产业
MAX V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
I
SB2
50
50
mA
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
IO电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
TSOP II
6
8
FBGA
8
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
50Ω
产量
Z
0
= 50Ω
V
TH
= 1.5V
30 pF的*容性负载由所有的COM的
在测试环境中的元件。
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间：
> 1V / ns的
3.3V
产量
5 pF的*
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
351Ω
R1 317
Ω
(a)
3.3V
GND
上升时间> 1V / ns的
(c)
笔记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
文件编号： 38-05256牧师* G
第10 3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
