CY7C1347G
电气特性
在工作范围（续）
[8, 9]
参数
I
SB3
描述
自动CE
掉电
目前， CMOS输入
测试条件
最大。 V
DD
，设备选中，或4纳秒的周期， 250兆赫
V
IN
＆ LT ; 0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
- 0.3V 5 ns的周期， 200兆赫
f = f
最大
= 1/t
CYC
6 ns的周期，频率为166 MHz
7.5 ns的周期， 133 MHz的
I
SB4
自动CE
掉电
目前-TTL输入
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = 0
民
最大
105
95
85
75
45
单位
mA
mA
mA
mA
mA
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
CLK
C
IO
描述
输入电容
测试条件
100 TQFP
最大
5
5
5
119 BGA
最大
5
5
7
165 FBGA
最大
5
5
7
单位
pF
pF
pF
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
DD
= 3.3V.
时钟输入电容
V
DDQ
= 3.3V
输入/输出电容
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循标准
试验方法和程序
测量热阻抗，
按照EIA / JESD51 。
100 TQFP
包
30.32
6.85
119 BGA
包
34.1
14.0
165 FBGA
包
20.3
4.6
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图1. AC测试负载和波形
3.3V的I / O负载测试
产量
Z
0
= 50Ω
3.3V
产量
R
L
= 50Ω
R = 317Ω
V
DDQ
5 pF的
GND
R = 351Ω
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
1纳秒
≤
1纳秒
V
T
= 1.5V
(a)
2.5V的I / O负载测试
产量
Z
0
= 50Ω
2.5V
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R = 1667Ω
V
DDQ
(c)
所有的输入脉冲
10%
90%
90%
10%
≤
1纳秒
产量
R
L
= 50Ω
V
T
= 1.25V
5 pF的
GND
R = 1538Ω
(a)
INCLUDING
夹具
范围
≤
1纳秒
(b)
(c)
文件编号： 38-05516牧师* E
第11页共21
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
