CY7C1347G
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短电池的寿命
该装置。用户指导未经过测试。
储存温度
..................................... −65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
−55°C
至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND .........- 0.5V至+ 4.6V
在V电源电压
DDQ
相对于GND
.......−0.5V
到+ V
DD
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
........................................... −0.5V
到V
DD
+ 0.5V
直流输入电压
....................................... −0.5V
到V
DD
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... .... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
V
DDQ
3.3V
2.5V
−5%
−5%/+10%
到V
DD
电气特性
在整个工作范围
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
IO电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
对于3.3V的IO ，我
OH
= -4.0毫安
对于2.5V的IO ，我
OH
= -1.0毫安
对于3.3V的IO ，我
OL
= 8.0毫安
对于2.5V的IO ，我
OL
= 1.0毫安
对于3.3V的IO
对于2.5V的IO
对于3.3V的IO
对于2.5V的IO
输入漏电流
除ZZ和MODE
模式的输入电流
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
GND < V
I
＆ LT ; V
DDQ
输入= V
SS
输入= V
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
输出漏电流GND
≤
V
I
≤
V
DDQ ，
输出禁用
V
DD
工作电源
当前
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
4纳秒的周期， 250兆赫
5 ns的周期， 200兆赫
6 ns的周期，频率为166 MHz
7.5 ns的周期， 133 MHz的
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
4纳秒的周期， 250兆赫
5 ns的周期， 200兆赫
6 ns的周期，频率为166 MHz
7.5 ns的周期， 133 MHz的
I
SB2
自动CE
掉电
目前， CMOS输入
所有速度
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
＆ LT ; 0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3V,
f=0
−5
−5
30
5
325
265
240
225
120
110
100
90
40
2.0
1.7
–0.3
–0.3
−5
−30
5
测试条件
民
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
0.8
0.7
5
最大
3.6
V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
8.过冲： V
IH
交流（AC） ＆ LT ; V
DD
+ 1.5V （脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2）。冲： V
IL
交流（AC） > -2V （脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
9. T
上电
：假设一个线性斜坡从0V到V
DD
（分钟）内200毫秒。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD
.
文件编号： 38-05516牧师* E
第10页21
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
