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CY7C199-15PC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C199-15PC图片预览
型号: CY7C199-15PC
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内容描述: 32K x 8静态RAM [32K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 319 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C199
开关特性
在工作范围( -20 , -25 , -35 , -45 )
[3, 7]
7C199-20
参数
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期
[10,11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到
WE高到
高-Z
[9]
低Z
[8]
3
20
15
15
0
0
15
10
0
10
3
25
18
20
0
0
18
10
0
11
3
35
22
30
0
0
22
15
0
15
3
45
22
40
0
0
22
15
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
CE高到掉电
分钟。
马克斯。
20
7C199-25
分钟。
马克斯。
20
7C199-35
分钟。
马克斯。
20
7C199-45
分钟。
马克斯。
25
单位
ns
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号
[13, 14]
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
ICC
50%
ISB
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
RC
阻抗
数据输出
注意事项:
12.设备被连续地选择。 OE ,CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号: 38-05160修订版**
第13个5