欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MTB14A03V8 参数 Datasheet PDF下载

MTB14A03V8图片预览
型号: MTB14A03V8
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N沟道逻辑电平增强模式MOSFET [Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 357 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
 浏览型号MTB14A03V8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MTB14A03V8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MTB14A03V8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MTB14A03V8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MTB14A03V8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MTB14A03V8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MTB14A03V8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MTB14A03V8的Datasheet PDF文件第9页  
CYStech Electronics Corp.
Characteristics (T
C
=25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Source-Drain Diode
I
S
*1
I
SM
*3
V
SD
*1
trr
Qrr
Min.
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
0.74
55
6
Max.
2.3
9.2
1.2
-
-
Unit
A
Spec. No. : C397V8
Issued Date : 2013.08.16
Revised Date : 2013.09.26
Page No. : 3/9
Test Conditions
V
ns
nC
I
S
=2.3A, V
GS
=0V
I
F
=2.3A, dI
F
/dt=100A/μs
Note : *1.Pulse Test : Pulse Width
≤300μs,
Duty Cycle≤2%
*2.Independent of operating temperature
*3.Pulse width limited by maximum junction temperature.
Recommended Soldering Footprint
unit : mm
MTB14A03V8
CYStek Product Specification