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MTB14A03V8 参数 Datasheet PDF下载

MTB14A03V8图片预览
型号: MTB14A03V8
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内容描述: 双N沟道逻辑电平增强模式MOSFET [Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 357 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech Electronics Corp.
Typical Characteristics(Cont.)
Typical Transfer Characteristics
40
35
V
DS
=10V
Spec. No. : C397V8
Issued Date : 2013.08.16
Revised Date : 2013.09.26
Page No. : 6/9
50
40
Power (W)
30
20
10
0
0.001
Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient
(Note on page 2)
I
D
, Drain Current(A)
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
V
GS
, Gate-Source Voltage(V)
5
T
J(MAX)
=150°C
T
A
=25°C
θ
JA
=84°C/W
0.01
0.1
1
10
Pulse Width(s)
100
1000
Transient Thermal Response Curves
1
D=0.5
r(t), Normalized Effective Transient
Thermal Resistance
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
1.R
θ
JA
(t)=r(t)*R
θJA
2.Duty Factor, D=t
1
/t
2
3.T
JM
-T
A
=P
DM
*R
θ
JA
(t)
4.R
θJA
=84°C/W
Single Pulse
0.001
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
t
1
, Square Wave Pulse Duration(s)
MTB14A03V8
CYStek Product Specification