CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源击穿电压
栅源电压
连续漏电流@T
A
=25
°C
（注1 ）
连续漏电流@T
A
=70
°C
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
（注1 ）
线性降额因子
工作结温和存储温度
热阻，结到环境
（注1 ）
符号
BV
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
Pd
TJ ， TSTG
RTH ， JA
规格。编号： C416N6
发行日期： 2007.07.12
修订日期：
页页次： 2/8
范围
N沟道P沟道
20
-20
±12
±12
3.5
-2.5
2.8
-1.97
10
-10
1.14
0.01
-55~+150
110
单位
V
V
A
A
A
W
W /
°C
°C
° C / W
注： 1.Surface安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜垫， t≤5秒; 180
° C / W
安装在最小的铜垫时，
2.
脉冲宽度有限的最高结温
N沟道电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
STATIC
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
DSS
*R
DS （ ON）
分钟。
20
-
0.5
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
-
-
-
7
230
55
40
6
8
10
3
4
0.7
2
1.1
-
16
8
马克斯。
-
-
1.2
±100
1
10
75
125
-
370
-
-
-
-
-
-
7
-
-
1.7
1.2
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
μA
μA
mΩ
S
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250μA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=±12V, V
DS
=0
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
DS
=16V, V
GS
= 0 ， TJ = 70℃
I
D
= 3.5A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 1.2A ，V
GS
=2.5V
V
DS
= 5V ，我
D
=3A
*G
FS
动态
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
*t
D（上）
-
*t
r
-
*t
D（关闭）
-
*t
f
-
* QG
-
* QGS
-
*的Qgd
-
-
Rg
源极 - 漏极二极管
*V
SD
-
* TRR
-
*的Qrr
-
MTC3585N6
pF
V
DS
=20V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 15V ，我
D
=1A,
V
GS
= 5V ，R
G
=3.3
Ω
, R
D
=15
Ω
ns
nC
Ω
V
ns
nC
V
DS
= 16V ，我
D
= 3A ，V
GS
=4.5V
f=1MHz
V
GS
= 0V时，我
S
=1.2A
I
S
= 3A ，V
GS
= 0V的di / dt = 100A / μs的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
CYStek产品规格
CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
