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MTC3585N6 参数 Datasheet PDF下载

MTC3585N6图片预览
型号: MTC3585N6
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 773 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
符号
STATIC
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
DSS
*R
DS ( ON)
分钟。
-20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.01
-
-
-
-
-
-
-
4
270
70
55
6
17
16
5
5
1
2
-
20
15
马克斯。
-
-
-1.2
±100
-1
-25
120
160
300
-
430
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-1.2
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
μA
μA
S
规格。编号: C416N6
发行日期: 2007.07.12
修订日期:
页页次: 3/8
P沟道电气特性
( TJ = 25 ° C,除非另有规定)
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250μA
参考至25℃ ,我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250μA
V
GS
=±12V, V
DS
=0
V
DS
=-20V, V
GS
=0
V
DS
=-16V, V
GS
= 0 , TJ = 70℃
I
D
= -2.8A ,V
GS
=-10V
I
D
= -2.5A ,V
GS
=-4.5V
I
D
= -2A ,V
GS
=-2.5V
V
DS
= -5V ,我
D
=-2A
*G
FS
动态
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
*t
D(上)
-
*t
r
-
*t
D(关闭)
-
*t
f
-
* QG
-
* QGS
-
*的Qgd
-
源极 - 漏极二极管
*V
SD
-
* TRR
-
*的Qrr
-
pF
V
DS
=-20V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DS
= -10V ,我
D
=-1A,
V
GS
= -10V ,R
G
=3.3
Ω
, R
D
=10
Ω
ns
nC
V
DS
= -16V ,我
D
= -2A ,V
GS
=-4.5V
V
ns
nC
V
GS
= 0V时,我
S
=-1.2A
I
S
= -2A ,V
GS
= 0V的di / dt = 100A / μs的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 %
MTC3585N6
CYStek产品规格