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MTDN7002ZHS6R 参数 Datasheet PDF下载

MTDN7002ZHS6R图片预览
型号: MTDN7002ZHS6R
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内容描述: n沟道MOSFET (双晶体管) [N-CHANNEL MOSFET (dual transistors)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 258 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
特性曲线
典型的输出特性
0.3
4V
0.25
漏电流 - ID ( A)
0.2
0.15
0.1
0.05
VGS=2.2V
0
0
1
2
3
漏源电压-VDS ( V)
静态漏源通态电阻与漏电流
4
3V
6V
3.5V
规格。编号: C320S6R
发行日期: 2007.11.07
修订日期:
页页次: 3/7
典型的传输特性
0.3
0.25
漏电流-ID ( A)
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
1
2
3
栅极 - 源极电压VGS (V )
静态漏源通态电阻与漏电流
VDS=10V
4
10
静态漏源导通状态
电阻RDS ( ON) ( Ω )
VGS=5V
10
静态漏源导通状态
电阻RDS ( ON) ( Ω )
VGS=10V
1
0.01
0.1
漏电流ID ( A)
1
1
0.01
0.1
漏电流ID ( A)
1
静态漏源通态电阻与栅源
电压
反向漏电流与源极 - 漏极电压
10
源极 - 漏极电压VSD (V )
7
静态漏源导通状态
电阻RDS ( ON) ( Ω )
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
栅极 - 源极电压VGS (V )
25
ID=50mA
ID=100mA
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
反向漏电流-idr ( A)
1
MTDN7002ZHS6R
CYStek产品规格