MTP2603Q6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTP2603Q6
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 383 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

P沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C394Q6

发行日期： 2006.11.24

修订日期：

页页次： 1/5

MTP2603Q6

描述

该MTP2603Q6是一个P沟道增强型MOSFET ，提供了设计者

快速开关，加固装置的设计，低导通电阻和成本的最佳组合

有效性。

该TSOP -6封装普遍首选的所有商业工业表面贴装

应用程序。

特点

•

简单的驱动要求

•

低导通电阻

•

封装尺寸小

•

无铅封装

等效电路

MTP2603Q6

G：门

S：源

D：漏

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@T

=25

°C

（注1 ）

连续漏电流@T

=70

°C

（注1 ）

漏电流脉冲

（注2,3）

总功率耗散@ T

=25

°C

线性降额因子

工作结温

储存温度

热阻，结到环境

（注1 ）

符号

TSTG

RTH ， JA

范围

-20

±12

-5

-4

-20

0.016

-55~+150

62.5

单位

W /

°C

° C / W

注： 1.Surface安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜焊盘。 156 ℃ /安装在最小铜垫肩时。

2.Pulse宽度有限的最高结温。

3.Pulse宽度

≤300μs,

值班Cycle≤2 ％

MTP2603Q6

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