MTP2603Q6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTP2603Q6
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 383 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

电气特性（Ta = 25°C ，除非otherwisenoted ）

符号

DSS

-Tj

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

分钟。

-20

-0.5

典型值。

-0.1

740

167

126

5.9

3.6

32.4

2.6

10.6

2.32

3.68

马克斯。

-1.2

±100

-1

-10

120

250

1200

单位

℃

μA

mΩ

规格。编号： C394Q6

发行日期： 2006.11.24

修订日期：

页页次： 2/5

测试条件

=0, I

=-250μA

参考25

℃

, I

=-1mA

, I

=-250μA

=±12V, V

=-20V, V

= 0 ， TJ = 25

℃

=-16V, V

= 0 ， TJ = 55

℃

= -4.5A ，V

=-10V

= -4.2A ，V

=-4.5V

= -2.0A ，V

=-2.5V

= -1.0A ，V

=-1.8V

= -5V ，我

=-2.8A

=-15V, V

= 0中，f = 1MHz的

= -15V ，我

=-4.2A,

= -10V ，R

根

, R

=3.6

= -16V ，我

=-4.2A,

=-4.5V,

*脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

值班Cycle≤2 ％

源漏二极管

符号

分钟。

典型值。

27.7

马克斯。

-1.2

单位

测试条件

=-1.2A,V

=0V

=-4.2A,V

=0V,dI/dt=100A/μs

*脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

值班Cycle≤2 ％

MTP2603Q6

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