3
/7
18B20 温度传感器应用解析
DoYoung
原创
4，
控制器发送存储器操�½�指令：在
ROM
指令发送给
18B20
之后，紧接着（不间断）就是发
送存储器操�½�指令了。操�½�指令同样为
8
�½�，共
6
条，存储器操�½�指令分别是写
RAM
数据、读
RAM
数据、将
RAM
数据复制到
EEPROM、温度�½�换、将 EEPROM
中的报警值复制到
RAM、工�½�
方式切换。存储器操�½�指令的功�½是�½令
18B20
�½�什么样的工�½�，是芯片控制的关键。
5，
执行或数据读写：一个存储器操�½�指令结束后则将进行指令执行或数据的读写，这个操�½�
要视存储器操�½�指令而定。
如执行温度�½�换指令则控制器
（单片机）
必须等待
18B20
执行其指令，
一般�½�换时间为
500uS。如执行数据读写指令则需要严格遵循 18B20
的读写时序来操�½�。数据的
读写方法将有下文有详细介绍。
若要读出�½�前的温度数据我们需要执行两次工�½�周期，第一个周期为复�½�、跳过
ROM
指令、执行
温度�½�换存储器操�½�指令、等待
500uS
温度�½�换时间。紧接着执行第二个周期为复�½�、跳过
ROM
指令、执行读
RAM
的存储器操�½�指令、读数据（最多为
9
个字节，中途可停止，只读简单温度值
则读前
2
个字节即可）
。其它的操�½�流程也大同小异，在此不多介绍。
DS18B20
芯片与单片机的接口：
图
3
图
4
如图所示，DS18B20 只需要接到控制器（单片机）的一个
I/O
口上，由于单总线为开漏所以需要
外接一个
4.7K
的上拉电阻。如要采用寄生工�½�方式，只要将
VDD
电源引脚与单总线并联即可。
�½�在程序设计中，寄生工�½�方式将会对总线的状态有一些特殊的要求。
doyoung
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
