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1225 参数 Datasheet PDF下载

1225图片预览
型号: 1225
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内容描述: 64K非易失SRAM [64k Nonvolatile SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 149 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1225AB/AD
注意事项:
1. WE为高电平的读出周期。
2. OE = V
IH
或V
IL
。如果OE = V
IH
在写周期中,输出缓冲器保持在高阻抗
状态。
3. t
WP
被指定为CE和WE的逻辑与。吨
WP
从CE或WE后者测
将低到CE的早期或我们要高。
4. t
DS
来自CE的早期测量或者我们要高。
5.这些参数进行采样了500 pF负载而不是100 %测试。
6.如果同时出现或晚于WE低电平的转换,输出端的CE低转换
缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
7.如果发生之前或在WE高过渡时,同时输出在CE高转变
缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
8.如果我们是低还是WE低转换发生之前或与CE低过渡同时,
输出缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
9.每个DS1225AB和各DS1225AD有一个内置在开关断开的锂源,直到
V
CC
首先,由使用者施加。预计吨
DR
被定义为累计时间在没有
V
CC
从时间上功率开始,首先由使用者施加。
10.所有的AC和DC电气特性是有效的在整个工作温度范围内。为
商业产品,该范围为0℃至70℃ 。工业产品( IND ) ,这个范围是-40°C至
+85°C.
11.在断电状态上的任何引脚上的电压不得超过上的电压V
CC
.
12. t
WR1
, t
DH1
从我们要高度测量。
13. t
WR2
, t
DH2
从CE测量变高。
14. DS1225AB和DS1225AD模块通过美国保险商实验室( UL认可
)下的文件
E99151.
DC测试条件
输出打开
所有电压以地为参考
AC测试条件
输出负载: 100 pF的+ 1TTL门
输入脉冲电平: 0 - 3.0V
定时测量参考电平
输入: 1.5V
输出: 1.5V
输入脉冲的上升和下降时间: 5ns的
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