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DS1225AB-150 参数 Datasheet PDF下载

DS1225AB-150图片预览
型号: DS1225AB-150
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内容描述: 64K非易失SRAM [64k Nonvolatile SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 149 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1225AB/AD
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0℃至70 ℃; -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70°C ; -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值,设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下,长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1225AB电源电压
DS1225AD电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
4.75
4.50
2.2
0.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
+0.8
(T
A
:见注10 )
单位
V
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE > V
IH
& LT ; V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流CE = 2.2V
待机电流CE = V
CC
-0.5V
工作电流吨
CYC
= 200纳秒
(商业)
工作电流吨
CYC
= 200纳秒
(工业级)
写保护电压
(DS1225AB)
写保护电压
(DS1225AD)
符号
I
IL
-1.0
(V
CC
= 5V为DS1225AB ± 5 % )
(T
A
:见注10 )
(V
CC
= 5V ±10%的DS1225AD )
典型值
最大
+1.0
单位
µ
A
µ
A
笔记
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CC01
I
CC01
V
TP
V
TP
-1.0
-1.0
2.0
5.0
3.0
+1.0
10.0
5.0
75
85
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
4.50
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
典型值
5
5
最大
10
10
(T
A
=25°C)
单位
pF
pF
笔记
3 10