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DS1345WP-100 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DS1345WP-100
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内容描述: 3.3V 1024K非易失SRAM,带有电池监控器 [3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor]
分类和应用: 电池存储内存集成电路静态存储器监控
文件页数/大小: 12 页 / 250 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1345W
3.3V 1024K非易失SRAM
带电池监视器
www.maxim-ic.com
特点
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
电源监控器复位处理器时,
V
CC
功率损失发生,并持有处理器
在V重置
CC
斜升
剩余容量电池监控检查
每日
读取和写入存取时间快100纳秒
没有写次数限制
典型待机电流为50μA
升级为128K ×8 SRAM , EEPROM或
FL灰
锂电池与电路断开,
维持保鲜状态加电了
第一次
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ,指定为IND
PowerCap模块( PCM )封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供
备用锂电池
- 标准引脚所有非易失
SRAM产品
- 分离的PowerCap允许
拆卸方便使用普通螺丝刀
引脚分配
BW
A15
A16
RST
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
GND V
BAT
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34引脚PowerCap模块( PCM )
(使用DS9034PC POWERCAP )
引脚说明
A0-A16
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
RST
BW
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 复位输出
- 电池报警输出
- 电源( +3.3伏)
- 地面
- 无连接
描述
该DS1345W 3.3V 1024K非易失SRAM是一种1,048,576位,全静态非易失SRAM
由8位, 131,072字。每个NV SRAM均自带锂电池及
控制电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这样的条件
发生时,锂电池便自动接通,写保护将无条件
使能,防止数据被破坏。此外, DS1345W具有专用电路监测
V状态
CC
和锂电池内部的状态。 PowerCap模块DS1345W设备
包可以直接表面安装,并且通常与DS9034PC PowerCap配合形成
完整的非易失SRAM模块。该装置可代替的128k ×8的SRAM,EEPROM被用于或
Flash组件。
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071701