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DS1345WP-100 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DS1345WP-100
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内容描述: 3.3V 1024K非易失SRAM,带有电池监控器 [3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor]
分类和应用: 电池存储内存集成电路静态存储器监控
文件页数/大小: 12 页 / 250 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1345W
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
*
-0.3V至+ 4.6V
0 ° C至70 ° C, -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70 ° C, -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值,设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下,长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
3.0
2.2
0.0
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
0.4
(T
A
:见注10 )
单位
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
³
V
IH
£
V
CC
输出电流@ 2.2V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
= 2.2V
待机电流
CE
= V
CC
-0.2V
工作电流
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
符号
C
IN
C
I / O
2.8
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
(T
A
:见注10 )(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
µA
µA
mA
mA
µA
µA
mA
V
14
14
笔记
50
30
2.9
典型值
5
5
250
150
50
3.0
最大
10
10
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
单位
pF
pF
(T
A
= 25°C)
笔记
4 12