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DS1643-100 参数 Datasheet PDF下载

DS1643-100图片预览
型号: DS1643-100
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内容描述: 非易失时钟RAM [Nonvolatile Timekeeping RAM]
分类和应用: 计时器或实时时钟微控制器和处理器外围集成电路双倍数据速率
文件页数/大小: 11 页 / 83 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1643
DS1643寄存器映射 - BANK1
表2
数据
地址
B
7
1FFF
1FFE
1FFD
1FFC
1FFB
1FFA
1FF9
1FF8
X
X
X
X
X
OSC
W
B
6
X
X
FT
X
R
B
5
X
X
X
B
4
X
X
R
X
=
=
B
3
X
X
读位
未使用
B
2
X
B
1
X
B
0
X
FT =
YEAR
MONTH
日期
小时
分钟
控制
00–99
01–12
01–31
01–07
00–23
00–59
00–59
A
功能
OSC =停止位
W
= WRITE位
频率测试
注意:
所有显示的“X”位不专用于任何特定的功能,并且可以被用作普通RAM比特。
检索数据从RAM或时钟
在DS1643在读模式,每当我们(写
使能)为高和CE (芯片使能)是低的。该装置
架构允许的纹波通过访问任何的
地址位置在NV SRAM 。有效数据将被
可在T内的DQ引脚
AA
的最后一个地址后
投入是稳定的,提供了CE和OE访问
时间和状态感到满意。如果CE或OE访问时间
得不到满足,有效数据将可在后期
芯片使能访问(T
CEA
),或者,在输出使能访问
时间(t
OEA
) 。的数据输入/输出管脚的状态(DQ)
通过CE和OE控制。如果输出被激活
吨前
AA
中,数据线被驱动到中间
状态,直到吨
AA
。如果地址输入,而改变
CE和OE仍然有效,输出数据将保持有效
输出数据保持时间(t
OH
),但将会进入不确定
直到下一个地址的访问。
将数据写入RAM或时钟
该DS1643是在写入模式下,每当我们和CE
处于其活性状态。写的开始被引用
以WE或CE后者发生转变。这种吸附
衣服必须在整个周期保持有效。 CE或
我们必须回归沉寂最低的t
WR
之前
另一种读或写周期的开始。在必须将数据
有效吨
DS
之前写的结尾,并保持有效
t
DH
之后。在典型的应用中,在OE信号将
是在写周期期间高。不过, OE可以活动
前提是小心与数据总线,以避免公交车
争。如果OE是低电平转换WE低的前
数据总线可以成为主动与定义读取数据
地址输入。就那么我们将显示一个低转换
能够输出吨
WEZ
之后,我们去活跃。
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