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18B20 温度传感器应用解析
DoYoung
原创
图
5
DS28B20
芯片
只读存储器
指令表：
读ROM（读ROM ） [ 33H ]
（方括号中的为
16
进制的�½令字）
这个�½令允许总线控制器读到
DS18B20
的
64
�½�
ROM。只有�½�总线上只存在一个 DS18B20
的时
候才可以�½�用此指令，如果挂接不只一个，�½�通信时将会发生数据冲突。
MATCH
ROM（指定匹配芯片）[55H]
这个指���后面紧跟着由控制器发出了
64
�½�序列号，�½�总线上有多只
DS18B20
时，只有与控制发
出的序列号相同的芯片才可以做出反应，其它芯片将等待下一次复�½�。这条指令适应单芯片和多
芯片挂接。
跳过ROM （跳跃ROM
指令） [ CCH ]
这条指令�½�芯片不对
只读存储器
编码做出反应，
在单总线的情况之下，
为了节省时间则可以选用此指令。
如果在多芯片挂接时�½�用此指令将会出现数据冲突，导致错误出现。
搜索ROM （搜索芯片） [ F0H ]
在芯片初始化后，搜索指令允许总线上挂接多芯片时用排除法识别所有器件的
64
�½�
只读存储器？
报警搜索（报警芯片搜索） [ ECH ]
在多芯片挂接的情况下，报警芯片搜索指令只对附合温度高于
TH
或小于
TL
报警条件的芯片做出
反应。只要芯片不掉电，报警状态将被保���，直到再一次测得温度什达不到报警条件为止。
DS28B20
芯片存储器操�½�指令表：
写暂存器
（向
内存
中写数据）[4EH]
这是向
内存
中写入数据的指令，
随后写入的两个字节的数据将会被存到地址
2
（报警
内存
之
TH ）
和地址
3 （报警RAM
之
TL ）
。写入过程中可以用复�½�信号中止写入。
读暂存器
（从
内存
中读数据） [ BEH ]
此指令将从
内存
中读数据，读地址从地址
0
开始，一直可以读到地址
9 ，完成整个RAM
数据的
读出。芯片允许在读过程中用复�½�信号中止读取，即可以不读后面不需要的字节以减少读取时间。
复制暂存器
（将
内存
数据复制到
EEPROM
中）[48H]
此指令将
内存
中的数据存入
EEPROM
中，以�½�数据掉电不丢失。此后由于芯片忙于
EEPROM
储
存处理，�½�控制器发一个读时间隙时，总线上输出“0”
，�½�储存工�½�完成时，总线将输出“1”
。
在寄生工�½�方式时必须在发出此指令后立刻超用强上拉并至少保持
10MS，来维持芯片工�½�。
DoYoung
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
