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18B20 温度传感器应用解析
DoYoung
原创
Convert T（温度�½�换）[44H]
收到此指令后芯片将进行一次温度�½�换，将�½�换的温度值放入
内存
的第
1、2
地址。此后由于芯
片忙于温度�½�换处理，�½�控制器发一个读时间隙时，总线上输出“0”
，�½�储存工�½�完成时，总线
将输出“1”
。在寄生工�½�方式时必须在发出此指令后立刻超用强上拉并至少保持
500MS，来维持
芯片工�½�。
召回
EEPROM （将EEPROM
中的报警值复制到
RAM）[B8H]
此指令将
EEPROM
中的报警值复制到
内存
中的第
3、4
个字节里。由于芯片忙于复制处理，�½�控
制器发一个读时间隙时，总线上输出“0”
，�½�储存工�½�完成时，总线将输出“1”
。另外，此指令
将在芯片上电复�½�时将被自动执行。这样
内存
中的两个报警字节�½�将始终为
EEPROM
中数据的
镜像。
Read Power Supply（工�½�方式切换）[B4H]
此指令发出后发出读时间隙，芯片会返回它的电源状态字，
“0”为寄生电源状态，
“1”为外部电
源状态。
DS18B20
复�½�及应答关系示意图：
图
6
每一次通信之前必须进行复�½�，复�½�的时间、等待时间、回应时间应严格按时序编程。
DS18B20
读写时间隙：
DS18B20
的数据读写是通过时间隙处理�½�和�½令字来确认信息交换的。
写时间隙：
图
7
写时间隙分为写“0”和写“1”
，时序如图
7.在写数据时间隙的前15US
总线需要是被控制器拉
�½��½�电平，而后则将是芯片对总线数据的采样时间，采样时间在
15~60uS，采样时间内如果控制
DoYoung
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
