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    DS80C310-MCG 参数 Datasheet PDF下载

    DS80C310-MCG图片预览
    型号： DS80C310-MCG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速微 [High-Speed Micro]
    分类和应用： 微控制器和处理器外围集成电路光电二极管时钟
    文件页数/大小： 21 页 / 333 K
    品牌： DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号DS80C310-MCG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DS80C310-MCG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DS80C310-MCG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DS80C310-MCG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DS80C310-MCG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DS80C310-MCG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号DS80C310-MCG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号DS80C310-MCG的Datasheet PDF文件第11页  
    DS80C310
    内存访问
    该DS80C310不包含片上ROM和256
    字节的暂存RAM 。片外存储器
    关于使用复用地址/数据总线访问
    P0和MSB解决对P2 。时序图
    在电气规格提供。节目
    存储器（ROM ）中所确定的固定速率被存取
    由晶振频率和实际指导。如
    如上所述，一个指令周期需要四个
    时钟。数据存储器（RAM ）是根据一访问
    如下所述变速MOVX指令。
    9个机器周期。软件可以动态地改变
    这个值取决于特定的存储器上或
    外设。
    复位时，拉伸值将默认为一个产生
    在三周期的MOVX 。因此，内存的访问会不会
    可全速进行。这是一个方便
    现有可能不具有快速RAM到位的设计。
    当最大速度需要，软件应
    选择零拉伸值。当使用很慢
    内存或外围设备，更大的伸展值可以是
    选择。注意，这会影响数据存储之用
    慢程序存储器的唯一途径（ ROM ）访问
    使用较慢的晶体。
    使用一个和七个原因之间的拉伸值
    单片机舒展读/写选通和
    所有相关的时序。这会导致在更宽的读/写
    频闪，允许更多的时间内存/外设
    应对。变速MOVX的时序
    在电气规格所示。需要注意的是全
    访问速度是不是重置默认情况下。表3
    显示了结果频闪宽度为每个拉伸
    值。存储器拉伸是使用实施
    在某些地区SFR时钟控制特殊功能寄存器
    化8EH 。使用位被选中的拉伸值
    CKCON.2-0 。在该表中，这些位被称为
    通过M2 M0 。第一段（默认）允许使用
    常见的120纳秒或150纳秒的RAM不显着
    延长了存储器的访问。
    STRETCH存储周期
    在DS80C310允许应用软件来调整
    数据存储器存取速度。微能
    的执行MOVX在短短的两个指令
    周期。然而，如需要此值可以被拉伸
    这样既能快速的内存和存储速度慢或peripher-
    阿尔斯可以在没有粘合逻辑被访问。即使在高
    速系统中，可能不需要或不希望
    执行全速数据存储器的访问。此外，
    有各种各样的存储器映射的外围设备，例如
    如液晶显示器或UART接口是不是快。
    该MOVX指令由时钟控制系统控制
    如下所述，在SFR的位置8EH注册。这
    允许用户选择零之间的拉伸值
    七。零拉伸会导致两机
    周期MOVX 。七一气将导致一个MOVX
    数据存储器周期延长值
    表3
    CKCON.2–0
    M2 M1 M0
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    存储周期
    2
    3 （默认）
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    RD和WR信号
    宽度CLOCKS
    2
    4
    8
    12
    16
    20
    24
    28
    选通脉冲宽度时间
    @ 25兆赫
    @ 33兆赫
    80纳秒
    160纳秒
    320纳秒
    480纳秒
    640纳秒
    800纳秒
    960纳秒
    1120纳秒
    60纳秒
    121纳秒
    242纳秒
    364纳秒
    485纳秒
    606纳秒
    727纳秒
    848纳秒
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