www.din-tek.jp
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
≅
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
Ω
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
12
2.2
3.6
245
330
860
510
365
495
1300
765
ns
18
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
≤
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
=
4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
30
0.0155
0.017
30
0.71
1.2
0.017
0.020
0.6
1.6
± 200
1
25
V
nA
µA
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
DTM8201
注意事项：
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
10000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
8
I
GSS
- 栅电流（ A）
1000
100
6
10
T
J
= 150 °C
4
1
T
J
= 25 °C
2
0.1
0
0
3
6
9
12
15
18
0.01
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
栅极电流与栅源电压
栅电流与栅源电压
2
DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
