MPSA55 ... MPSA56
Characteristics (T
j
= 25°C)
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- V
EB
= 4 V, (C open)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- I
C
= 100 mA, - V
CE
= 1 V, f = 100 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
f
T
R
thA
50 MHz
–
< 200 K/W
1
)
MPSA05, MPSA06
–
- I
EB0
–
–
100 nA
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
120
[%]
100
80
60
40
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature
1
)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
