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DIM375WHS06-S000 参数 Datasheet PDF下载

DIM375WHS06-S000图片预览

型号：	DIM375WHS06-S000
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	半桥IGBT模块 [Half Bridge IGBT Module]
分类和应用：	晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小：	8 页 / 150 K
品牌：	DYNEX [ Dynex Semiconductor ]

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DIM375WHS06-S000

电气特性

T

例

= 25℃ ，除非另有说明。

符号

I

CES

参数

集电极截止电流

测试条件

V

GE

= 0V, V

CE

= V

CES

V

GE

= 0V, V

CE

= V

CES

, T

例

= 125˚C

I

GES

V

GE （日）

V

CE （SAT） †

栅极漏电流

栅极阈值电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

GE

=

±20V,

V

CE

= 0V

I

C

= 15毫安，V

GE

= V

CE

V

GE

= 15V ，我

C

= 350A

V

GE

= 15V ，我

C

= 350A ，，T

例

= 125˚C

I

F

I

FM

V

F†

二极管的正向电流

二极管的最大正向电流

二极管的正向电压

DC

t

p

为1ms

I

F

= 350A

I

F

= 350A ，T

例

= 125˚C

C

IES

L

M

R

INT

输入电容

模电感

内部晶体管的电阻 - 每臂

V

CE

= 25V, V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

-

-

分钟。

-

-

-

4.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

5.5

2.1

2.3

-

-

1.5

1.5

40

20

0.23

马克斯。

2

10

2

7.5

2.6

2.8

375

750

1.8

1.8

-

-

单位

mA

mA

µA

V

V

V

A

A

V

V

nF

nH

mΩ

注意：

†

测量在功率母线和没有辅助端子。

L *为电路电感+ L

M

注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。

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