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    DIM600NSM45-F000 参数 Datasheet PDF下载

    DIM600NSM45-F000图片预览
    型号： DIM600NSM45-F000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单开关IGBT模块 [Single Switch IGBT Module]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 128 K
    品牌： DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
     浏览型号DIM600NSM45-F000的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DIM600NSM45-F000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DIM600NSM45-F000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DIM600NSM45-F000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DIM600NSM45-F000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DIM600NSM45-F000的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DIM600NSM45-F000的Datasheet PDF文件第8页  
    DIM600NSM45-F000
    电气特性
    T
    例
    = 25° ，除非另有说明
    C
    符号
    t
    D（关闭）
    t
    f
    E
    关闭
    t
    D（上）
    t
    r
    E
    ON
    Q
    g
    Q
    rr
    I
    rr
    E
    REC
    参数
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    关断能量损失
    导通延迟时间
    上升时间
    开启能量损失
    栅极电荷
    二极管的反向恢复
    收费
    二极管的反向恢复
    当前
    二极管的反向恢复
    能源
    测试条件
    I
    C
    =600A
    V
    GE
    =±15V
    V
    CE
    =2250V
    R
    G（ ON）的
    =4.7Ω
    R
    G（ OFF）
    =11Ω
    C
    ge
    =110nF
    L〜 200nH
    民
    典型值。
    5.0
    250
    1500
    850
    220
    1800
    20
    最大
    单位
    us
    ns
    mJ
    ns
    ns
    mJ
    uC
    uC
    A
    mJ
    I
    F
    =600A,V
    CE
    =2250V,
    dI
    F
    / DT = 3000A / us的
    475
    700
    600
    T
    例
    = 125℃ ，除非另有说明
    C
    符号
    参数
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    关断能量损失
    导通延迟时间
    上升时间
    开启能量损失
    二极管的反向恢复
    收费
    二极管的反向恢复
    当前
    二极管的反向恢复
    能源
    测试条件
    I
    C
    =600A
    V
    GE
    =±15V
    V
    CE
    =2250V
    R
    G（ ON）的
    =4.7Ω
    R
    G（ OFF）
    =11Ω
    C
    ge
    =110nF
    L〜 200nH
    I
    F
    =600A,V
    CE
    =2250V,
    dI
    F
    / DT = 3000A / us的
    民
    典型值。
    5.2
    250
    1700
    800
    220
    2700
    850
    820
    1050
    最大
    单位
    us
    ns
    mJ
    ns
    ns
    mJ
    uC
    A
    mJ
    t
    D（关闭）
    t
    f
    E
    关闭
    t
    D（上）
    t
    r
    E
    ON
    Q
    rr
    I
    rr
    E
    REC
    4/8
    :
    该器件对静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
    www.dynexsemi.com

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