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DIM600NSM45-F000 参数 Datasheet PDF下载

DIM600NSM45-F000图片预览
型号: DIM600NSM45-F000
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内容描述: 单开关IGBT模块 [Single Switch IGBT Module]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 8 页 / 128 K
品牌: DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
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DIM600NSM45-F000
1200
共发射极
T
= 25° C
V
CE
处测得的功率母线
而不是辅助端子
1200
共发射极
TCASE = 125°C
V
CE
处测得的功率母线
而不是辅助端子
1000
1000
集电极电流, IC - ( A)
集电极电流, IC - ( A)
800
800
600
600
400
Vge=10V
Vge=12V
Vge=15V
Vge=20V
400
200
Vge=10V
Vge=12V
Vge=15V
Vge=20V
200
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
集电极 - 发射极电压Vce的 - (V )
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压Vce的 - (V )
图。 3典型的输出特性
3000
EON (兆焦耳)
条件:
V
CC
= 2250V
T
= 125° C
R
g
= 4.7ohms
C
ge
=110nF
VGE = + / - 15V
EOFF (兆焦耳)
EREC (兆焦耳)
图。 4典型的输出特性
8000
7000
条件:
V
CC
= 2250V
IC = 600A
T
= 125° C
CGE = 110nF
VGE = 15V +/-
EON (兆焦耳)
EOFF (兆焦耳)
EREC (兆焦耳)
开关能量 - ESW (兆焦耳)
开关能量 - ESW (兆焦耳)
400
600
6000
5000
4000
3000
2000
1000
2000
1000
0
0
200
0
0
5
10
15
20
25
30
集电极电流 - 集成电路( A)
栅极电阻 - RG (欧姆)
图5典型的开关能量VS集电极电流
图。 6典型开关能量VS栅极电阻
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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