GP250MHB06S
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全预防措施
应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC ，T
例
= 25˚C
DC ，T
例
= 75˚C
I
C（ PK ）
1毫秒，T
例
= 25˚C
1毫秒，T
例
= 75˚C
P
最大
V
ISOL
最大功率耗散
隔离电压
（晶体管）
Commoned端子到基板上。
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
600
±20
350
250
700
500
1250
2500
单位
V
V
A
A
A
A
W
V
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
个（ C-H）
T
j
参数
热电阻 - 晶体管
热电阻 - 二极管
条件
DC连接每个臂区分
DC结到外壳
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
安装 - M6
电气连接 - M6
- 40
-
-
马克斯。
100
250
15
150
125
125
5
5
单位
o
C /千瓦
C /千瓦
o
热电阻 - 案件（每个模块）安装扭矩5Nm的散热片（带安装脂）
结温
晶体管
二极管
o
C /千瓦
o
C
C
o
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
o
C
Nm
Nm
2/10
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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