双P沟道MOSFET
ELM54801AA-N
■概述
ELM54801AA -N采用先进沟道技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
■特点
•
•
•
•
•
Vds=-30V
ID = -5A ( VGS = -10V )
RDS(ON) < 48mΩ ( VGS = -10V )
RDS(ON) < 57mΩ ( VGS = -4.5V )
RDS(ON) < 80mΩ ( VGS = -2.5V )
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量
功耗
结温和存储温度范围
L=0.1mH
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
国际会计准则,IAR
EAS ,耳朵
Pd
TJ , TSTG
极限
-30
±
12
-5
-4
-28
17
14
2.0
1.3
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
°C
3
3
3
2
记
。热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
符号
t≤10s
稳态
稳态
RΘJA
RÛJL
典型值。
48.0
74.0
32.0
马克斯。
62.5
90.0
40.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
记
1
1, 4
■引脚CON组fi guration
SOP- 8 ( TOP VIEW )
1
2
3
4
●电路
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
G1
S1
D1
D2
8
7
6
5
G2
S2
5- 1