双P沟道MOSFET
ELM54801AA-N
.Electrical特点
参数
静态参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
马克斯。体二极管续流
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
注意：
符号
条件
分钟。
-30
-1
Tj=55°C
-0.5
-28
40
60
45
60
18
-0.7
48
72
57
80
-1.0
-2.5
515
VGS = 0V ， VDS = -15V ， F = 1MHz的
VGS = 0V ， VDS = 0V ， F = 1MHz的
VGS = -4.5V ， VDS = -15V
Id=-5A
VGS = -10V ， VDS = -15V
55
30
4.0
5.0
645
80
55
7.8
7.0
1.5
2.5
6.5
3.5
41.0
9.0
11
3.5
780
105
80
12.0
9.0
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
-0.9
-5
±100
-1.3
典型值。
Ta=25°C
MAX 。 UNIT
V
μA
nA
V
A
mΩ
BVDSS n = -250μA ， VGS = 0V
IDSS
VDS = -30V ， VGS = 0V
IGSS VDS = 0V ， VGS = ± 12V
VGS （ TH）的Vds = Vgs的，ID = -250μA
ID（上） VGS = -4.5V ， VDS = -5V
VGS = -10V ，ID = -5A
RDS （ ON）
政府飞行服务队
VSD
Is
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
Tj=125°C
VGS = -4.5V ，ID = -3.5A
VGS = -2.5V ，ID = -2.5A
VDS = -5V ，ID = -5A
是= -1A ， VGS = 0V
TD （关闭） RL = 3Ω ， RGEN = 6Ω
tf
TRR
如果= -5A ， DL / DT = 100A / μs的
QRR
如果= -5A ， DL / DT = 100A / μs的
15
5.0
1. RθJA的值被测量与安装在1in² FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境
与TA = 25 ℃。在任何给定的应用价值依赖于用户的特定网络Ç板设计。
2.功耗，Pd是基于TJ（MAX） = 150 ° C，采用10秒结到环境的热阻。
3.重复等级，脉冲宽度有限的结温Tj （最大值） = 150℃。额定值基于低频
和占空比，以保持初始温度Tj = 25 ℃。
4. RθJA为结点的热阻抗导致Rθjl ，并导致周围的总和。
5.在图1至6使用的是<300μs脉冲，占空比0.5％以下所获得的静态特性。
6.这些曲线是基于其测量安装在设备的结到环境的热阻抗
在1平方英寸FR- 4板2oz.Copper ，假设TJ（MAX）的最高结温= 150 ℃。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
5- 2
ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
