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EDE5104AJSE-6E-E 参数 Datasheet PDF下载

EDE5104AJSE-6E-E图片预览
型号: EDE5104AJSE-6E-E
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内容描述: 512M位DDR2 SDRAM [512M bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 77 页 / 752 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE5104AJSE, EDE5108AJSE, EDE5116AJSE
AC Overshoot/Undershoot Specification
Parameter
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDD
DDR2-800
DDR2-667
Maximum undershoot area below VSS
DDR2-800
DDR2-667
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDD
DDR2-800, 667
Maximum undershoot area below VSS
DDR2-800, 667
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDDQ
DDR2-800, 667
Maximum undershoot area below VSSQ
DDR2-800, 667
DQ, DQS, /DQS,
UDQS, /UDQS,
LDQS, /LDQS,
RDQS, /RDQS,
DM, UDM, LDM
CK, /CK
Pins
Command, Address,
CKE, ODT
Specification
0.5
0.5
0.66
0.8
0.66
0.8
0.5
0.5
0.23
0.23
0.5
0.5
0.23
0.23
Unit
V
V
V-ns
V-ns
V-ns
V-ns
V
V
V-ns
V-ns
V
V
V-ns
V-ns
Maximum amplitude
Overshoot area
Volts (V)
VDD, VDDQ
VSS, VSSQ
Undershoot area
Time (ns)
Overshoot/Undershoot Definition
Data Sheet E1043E40 (Ver. 4.0)
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