欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EDS1232AHTA-75TI-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1232AHTA-75TI-E图片预览
型号: EDS1232AHTA-75TI-E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128M位的SDRAM WTR (宽温度范围) [128M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 50 页 / 725 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
 浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第10页  
EDS1232AHTA-TI  
DC Characteristics 2 (TA = –40°C to +85°C, VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V, VSS, VSSQ = 0V)  
Parameter  
Symbol  
ILI  
min.  
–1  
max.  
1
Unit  
µA  
µA  
V
Test condition  
Notes  
Input leakage current  
Output leakage current  
Output high voltage  
Output low voltage  
0 VIN VDD  
ILO  
–1.5  
2.4  
1.5  
0 VOUT VDD, DQ = disable  
IOH = –2 mA  
VOH  
VOL  
0.4  
V
IOL = 2 mA  
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V)  
Parameter  
Symbol  
CI1  
Pins  
CLK  
min.  
2.5  
typ.  
max.  
4.0  
Unit  
pF  
Notes  
Input capacitance  
1, 2, 4  
Address, CKE, /CS,  
/RAS, /CAS, /WE,  
DQM  
CI2  
2.5  
4.0  
pF  
1, 2, 4  
Data input/output  
capacitance  
CI/O  
DQ  
4.0  
6.5  
pF  
1, 2, 3, 4  
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. Measurement condition: f = 1MHz, 1.4V bias, 200mV swing.  
3. DQM = VIH to disable DOUT.  
4. This parameter is sampled and not 100% tested.  
Data Sheet E1164E20 (Ver. 2.0)  
6