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HM5118165 参数 Datasheet PDF下载

HM5118165图片预览
型号: HM5118165
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内容描述: 16M的EDO DRAM ( 1 - Mword ×16位), 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 32 页 / 578 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5118165 Series
EO
Parameter
Parameter
EDO Page Mode Cycle
HM5118165
-5
Symbol
t
HPC
t
RASP
t
CPA
Min Max
20
28
3
7
5
28
-6
Min Max
25
-7
Min Max
30
Unit
ns
Notes
25
16
9, 17, 22
EDO page mode cycle time
EDO page mode
RAS
pulse width
Access time from
CAS
precharge
100000 —
28
35
3
10
5
35
100000 —
35
40
3
13
5
40
100000 ns
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
RAS
hold time from
CAS
precharge t
CPRH
Output data hold time from
CAS
low t
DOH
CAS
hold time referred
OE
CAS
to
OE
setup time
t
COL
Read command hold time from
CAS
precharge
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle
EDO page mode read-modify-write t
HPRWC
cycle time
WE
delay time from
CAS
precharge t
CPW
LP
t
COP
t
RCHC
Symbol
t
REF
t
REF
9
HM5118165
-5
ro
Min
Max
57
45
16
-6
Min
Max
-7
Min
79
62
Max
Unit
ns
ns
14, 22
Notes
68
54
du
Unit
ms
ms
Refresh
Parameter
Refresh period
Refresh period (L-version)
Symbol
Max
Note
1024 cycles
1024 cycles
128
ct
Data Sheet E0154H10
11