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EBE10RD4AGFA-6E-E 参数 Datasheet PDF下载

EBE10RD4AGFA-6E-E图片预览
型号: EBE10RD4AGFA-6E-E
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内容描述: 注册1GB DDR2 SDRAM DIMM ( 128M字× 72位,1个等级) [1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank)]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 23 页 / 191 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EBE10RD4AGFA
PD系列矩阵*
1
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
函数来描述
通过模块使用的字节数
生产厂家
串行PD的总字节数
设备
内存类型
行地址数
列地址的数
DIMM行列数
模块数据宽度
模块数据宽度的延续
Bit7
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit6
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
Bit5
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
1
Bit4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
1
Bit3
0
1
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
Bit2
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
Bit1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
十六进制值
80H
08H
08H
0EH
0BH
60H
48H
00H
05H
30H
3DH
50H
45H
50H
60H
02H
82H
04H
04H
00H
0CH
04H
38H
01H
01H
00H
03H
3DH
50H
50H
60H
50H
60H
3CH
评论
128字节
256字节
DDR2 SDRAM
14
11
1
72
0
SSTL 1.8V
3.0ns*
1
该组件0的电压电平接口
DDR SDRAM的周期时间, CL = 5
-6E
-5C
-4A
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
3.75ns*
5.0ns*
1
1
10
从时钟SDRAM存取( TAC)
-6E
-5C
-4A
0.45ns*
0.5ns*
0.6ns*
ECC
7.8µs
×
4
×
4
0
4,8
4
3, 4, 5
1
1
1
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
版权所有
SDRAM器件的属性:
突发长度支持
SDRAM器件属性:数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性:
/ CAS延时
DIMM机械特性
DIMM类型信息
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
在CL最小时钟周期时间= 4
-6E , -5℃
-4A
4.00毫米最大。
注册
正常
弱驱动50Ω
ODT技术支持
3.75ns*
5.0ns*
0.5ns*
0.6ns*
5.0ns*
0.6ns*
15ns
1
1
24
从最大数据存取时间( TAC)
在CL = 4个时钟
0
-6E , -5℃
-4A
0
0
1
1
1
25
26
27
在CL最小时钟周期时间= 3
从最大数据存取时间( TAC)
0
在CL = 3的时钟
最小行预充电时间(TRP)
0
1
数据表E0795E20 (版本2.0 )
5