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EDD1216AASE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDD1216AASE
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内容描述: 128M位的DDR SDRAM (8M字×16位) [128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 564 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD1216AASE
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
上电后,等待超过200微秒,然后,在序列和CBR (自动)执行开机前更新
实现器件正常工作。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-1.0到+3.6
-1.0到+3.6
50
1.0
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件( TA = 0〜 + 70 ° C)
参数
电源电压
符号
VDD ,
VDDQ
VSS ,
VSSQ
VREF
VTT
VIH (DC)的
VIL (DC)的
VIN (DC)的
VIX ( DC )
VID (DC)的
分钟。
2.3
0
0.49
×
VDDQ
VREF - 0.04
VREF + 0.15
–0.3
–0.3
0.5
×
VDDQ
0.2V
0.36
典型值。
2.5
0
0.50
×
VDDQ
VREF
0.5
×
VDDQ
马克斯。
2.7
0
0.51
×
VDDQ
VREF + 0.04
VDDQ + 0.3
VREF - 0.15
VDDQ + 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
2
3
4
笔记
1
输入参考电压
终止电压
输入高电压
输入低电压
输入电压电平,
CK和/ CK投入
输入差分交叉点
电压,CK和/ CK的输入端
输入差分电压,
CK和/ CK投入
0.5
×
VDDQ + 0.2V V
VDDQ + 0.6
V
5, 6
注:1 。
2.
3.
4.
5.
6.
VDDQ必须小于或等于VDD。
VIH被允许超过VDD上升到3.6V的时间短于或等于5ns的。
VIL允许外展低于VSS下降到-1.0V的期间短于或等于5ns的。
VIN ( DC )指定一个允许直流执行每个差分输入。
VID (直流)指定需要用于切换输入的差分电压。
VIH ( CK )分以上假设VREF + 0.18V , VIL ( CK )下的最大VREF假设 - 0.18V ,如果测量。
初步数据表E0614E20 (版本2.0 )
4