EDD1204ALTA ， EDD1208ALTA ， EDD1216ALTA
预充电命令
（ / CS ， / RAS ， / WE =低， / CAS =高）
该命令将开始银行通过BA0 ， BA1选择预充电操作
和A10 。当A10为高电平时，所有银行预充电，无论BA0和
BA1.
当A10为低电平，只有BA0和BA1选择的银行进行预充电。
这个命令后， EDD12xxALTA不能接受激活命令
吨在预充电银行
RP
（预充电来激活指令周期） 。
该命令可以终止当前突发操作。
这个命令对应于一个常规的DRAM的/ RAS的上升沿。
图4预充电命令
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
BA0 ， BA1
A10
（预充电选择）
H
添加
读命令
（ / CS ， / CAS =低， / RAS ， / WE =高）
图5读取命令
CLK
该命令将开始突发读取操作。银行和决堤的开始
列地址由BA0和BA1通过选择A11和A0
分别。
读出的数据后，已满足/ CAS延迟要求提供。
并且它与DQS的同步。
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
BA0 ， BA1
A10
（自动预充电选择）
H
添加
歌罗西书
写命令
（ / CS ， / CAS ， / WE =低， / RAS =高）
该命令将开始突发写入操作。银行和决堤的开始
列地址由BA0和BA1通过选择A11和A0
分别。
写入数据必须通过DQ15是由DQ0输入。字节掩码数据必须输入
通过DM ，LDM和UDM 。这两个数据必须与DQS是同步的
该命令后输入。
图6写命令
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
BA0 ， BA1
A10
（自动预充电选择）
H
添加
歌罗西书
12
初步数据表E0136E30
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
