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EDD5116AFTA-5 参数 Datasheet PDF下载

EDD5116AFTA-5图片预览
型号: EDD5116AFTA-5
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内容描述: 512M比特DDR SDRAM [512M bits DDR SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 48 页 / 540 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD5108AFTA -5, EDD5116AFTA -5-
直流特性1 ( TA = 0 ° C至+ 70 ° C, VDD , VDDQ = 2.6V ± 0.1V , VSS , VSSQ = 0V)
马克斯。
参数
工作电流( ACT-
PRE )
工作电流
( ACT - READ - PRE )
闲置功耗降低待机
当前
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
GRADE
×
8
120
160
5
30
25
30
60
215
215
220
5
400
×
16
120
160
5
30
25
30
60
215
215
220
5
400
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
笔记
CKE
VIH ,
1, 2, 9
的tRC =的tRC (分钟)
CKE
VIH, BL = 4 ,CL = 3,
1, 2, 5
的tRC =的tRC (分钟)
CKE
VIL
CKE
VIH , / CS
VIH
DQ , DQS , DM = VREF
CKE
VIH , / CS
VIH
DQ , DQS , DM = VREF
CKE
VIL
CKE
VIH , / CS
VIH
tRAS的= tRAS的(最大)
4
4, 5
4, 10
3
3, 5, 6
浮动空闲待机电流IDD2F
安静的空闲待机电流
IDD2Q
主动关闭电源待机
IDD3P
当前
主动待机电流
工作电流
(突发读取操作)
工作电流
(突发写操作)
自动刷新当前
自刷新电流
工作电流
( 4银行交织)
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD7A
CKE
VIH ,BL = 2, CL = 3 1,2, 5,6
CKE
VIH ,BL = 2, CL = 3 1,2, 5,6
tRFC = tRFC (分钟) ,
输入
VIL或
VIH
输入
VDD - 0.2 V
输入
0.2 V
BL = 4
1, 5, 6, 7
注:1.这些IDD数据条件下, DQ引脚没有连接下测得的。
2.一家银行的操作。
3.一家银行主动。
4.所有的银行闲置。
5.命令/地址转换一次每一个时钟周期。
6. DQ , DM和DQS过渡两次每一个时钟周期。
7.4银行主动。只有一个银行的的tRC = tRC的运行(分钟)
8.在该表上的IDD数据测量关于TCK = TCK (分钟)的总称。
9.命令/地址转换一次,每两个时钟周期。
10.命令/地址稳定在
VIH或
VIL 。
直流特性2 ( TA = 0 ° C至+ 70 ° C, VDD , VDDQ = 2.6V ± 0.1V , VSS , VSSQ = 0V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流
输出低电流
符号
ILI
国际劳工组织
IOH
IOL
分钟。
–2
–5
–15.2
15.2
马克斯。
2
5
单位
µA
µA
mA
mA
测试条件
VDD
VIN
VSS
VDDQ
VOUT
VSS
VOUT = 1.95V
VOUT = 0.35V
笔记
数据表E0741E20 (版本2.0 )
5