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EDD51321DBH-6ETS-F 参数 Datasheet PDF下载

EDD51321DBH-6ETS-F图片预览
型号: EDD51321DBH-6ETS-F
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内容描述: 512M DDR位移动RAM ™ WTR (宽温度范围) [512M bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature Range)]
分类和应用: 双倍数据速率
文件页数/大小: 58 页 / 702 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD51321DBH-TS
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
上电后,等待超过200微秒,然后,在序列和CBR (自动)执行开机前更新
实现器件正常工作。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5到+2.3
-0.5到+2.3
50
1.0
-25至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件( TA =
−25°C
至+ 85°C )
参数
电源电压
引脚
符号
VDD ,
VDDQ
VSS ,
VSSQ
所有其他输入VIH
引脚
CK , / CK
VIL
VIN (DC)的
VIX
VID (DC)的
VID (AC)的
DQ , DM , DQS VIHD ( DC )
Vild (直流)
VIHD (AC)的
VILD (AC)的
分钟。
1.7
0
0.8
×
VDDQ
–0.3
–0.3
0.4
×
VDDQ
0.4
×
VDDQ
0.6
×
VDDQ
0.7 × VDDQ
–0.3
0.8 × VDDQ
–0.3
典型值。
1.8
0
马克斯。
1.95
0
VDDQ + 0.3
0.2
×
VDDQ
VDDQ + 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
6
5
5
笔记
1
输入高电压
输入低电压
直流输入电压电平
AC输入微分截面
点电压
直流输入电压差
AC输入电压差
DC输入高电压
DC输入低电压
交流输入高电压
AC输入低电压
0.5
×
VDDQ 0.6
×
VDDQ
VDDQ + 0.6
VDDQ + 0.6
VDDQ + 0.3
0.3
×
VDDQ
VDDQ + 0.3
0.2
×
VDDQ
注:1 。
2.
3.
4.
5.
VDDQ必须等于VDD。
VIH (最大) = 2.3V (脉冲宽度
5ns).
VIL (分钟) = -0.5V (脉冲宽度
5ns).
简称VSS和VSSQ所有的电压必须是相同的电势。
VID (DC)和VID (AC)是关于CK的输入电平与输入之间的差的量值
上/ CK水平。
6. VIX的值预计为0.5
×
VDDQ和必须跟踪变化的相同的DC电平。
初步数据表E1398E40 (版本4.0 )
5