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EDD51321DBH-6ETS-F 参数 Datasheet PDF下载

EDD51321DBH-6ETS-F图片预览
型号: EDD51321DBH-6ETS-F
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内容描述: 512M DDR位移动RAM ™ WTR (宽温度范围) [512M bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature Range)]
分类和应用: 双倍数据速率
文件页数/大小: 58 页 / 702 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD51321DBH-TS
注:1. IDD规格测试后,该设备已正确初始化。
2.输入转换率是测试条件规定。
3.定义为IDD :
L被定义为车辆
0.1
×
VDDQ ;
H被定义为车辆
0.9
×
VDDQ ;
稳定的被定义为输入稳定在H或L电平;
切换的定义如下:
地址和命令:输入每两个时钟周期, H和L之间切换一次;
数据总线输入: DQ H和L每一次时钟周期之间的变化; DM和DQS是稳定的。
直流特性2 ( TA =
−25°C
至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V , VSS和VSSQ = 0V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–2.0
–1.5
0.9
×
VDDQ
马克斯。
2.0
1.5
0.1
×
VDDQ
单位
µA
µA
V
V
测试条件
0
VIN
VDDQ
0
VOUT
VDDQ ,
DQ =取消
IOH =
0.1mA
IOL = 0.1毫安
笔记
引脚电容( TA = + 25 ° C, VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V )
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
三角洲输入电容
Cdi1
Cdi2
数据输入/输出电容
增量的输入/输出电容
CI / O
CDIO
引脚
CK , / CK
所有其他输入专用管脚
CK , / CK
所有其他输入专用管脚
DQ , DM , DQS
DQ , DM , DQS
分钟。
2.0
2.0
3.5
典型值。
马克斯。
4.5
4.5
0.25
1.0
6.0
1.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
1
1
1
1
1, 2
1
注:1.这些参数的条件下测得:
TA = + 25°C 。
2. Dout的电路都被禁止。
F = 100MHz时, VOUT = VDDQ / 2 ,
ΔVOUT
= 0.2V,
初步数据表E1398E40 (版本4.0 )
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