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EDE1116ACSE 参数 Datasheet PDF下载

EDE1116ACSE图片预览
型号: EDE1116ACSE
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内容描述: 1G位DDR2 SDRAM [1G bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 82 页 / 782 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE1104ACSE , EDE1108ACSE , EDE1116ACSE
建议的直流工作条件( SSTL_18 )
参数
电源电压
电源电压输出
输入参考电压
终止电压
DC输入逻辑高
DC输入低
AC输入逻辑高
-8E, -6E
-5C
AC输入低
-8E, -6E
-5C
符号
VDD
VDDQ
VREF
VTT
VIH (DC)的
VIL (DC)的
VIH (AC)的
VIH (AC)的
VIL (AC)的
VIL (AC)的
分钟。
1.7
1.7
0.49
×
VDDQ
VREF
0.04
VREF + 0.125
−0.3
VREF
+
0.200
VREF + 0.250
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
1.9
1.9
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
笔记
4
4
1, 2
3
0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ
VREF
VREF + 0.04
VDDQ + 0.3
VREF - 0.125
VREF - 0.200
VREF
0.250
注:1. VREF的值可以由用户进行选择,以提供最佳的噪声容限的系统。通常
VREF值预计是约0.5
×
发送设备和VREF的VDDQ预期
在VDDQ跟踪变化。
2.峰值到峰值AC噪声对VREF不得超过
±2%
VREF (DC)。
3. VTT的发送装置的必须跟踪接收装置的VREF。
4. VDDQ轨道与VDD , VDDL跟踪与VDD 。 AC参数测量VDD , VDDQ和
VDDL绑在一起。
数据表E0975E50 ( Ver.5.0 )
6