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EDE1116ACSE 参数 Datasheet PDF下载

EDE1116ACSE图片预览
型号: EDE1116ACSE
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内容描述: 1G位DDR2 SDRAM [1G bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 82 页 / 782 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE1104ACSE , EDE1108ACSE , EDE1116ACSE
直流特性1 ( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.8V
±
0.1V)
马克斯。
参数
符号
GRADE
-8E
-6E
-5C
×
4
85
80
75
×
8
85
80
75
×
16
110
100
90
单位
测试条件
一家银行; TCK TCK = ( IDD )的tRC =的tRC ( IDD ) ,
。 tRAS的= tRAS的分( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线输入切换;
数据总线输入切换
一家银行; IOUT = 0毫安;
BL = 4, CL = CL (IDD) ,AL = 0;
TCK TCK = ( IDD )的tRC =的tRC ( IDD ) ,
。 tRAS的= tRAS的分( IDD) ;的tRCD =的tRCD ( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线输入切换;
数据模式是相同IDD4W
所有银行闲置;
TCK TCK = ( IDD) ;
CKE为L ;
其它的控制和地址总线输入是稳定的;
数据总线输入浮动
所有银行闲置;
TCK TCK = ( IDD) ;
CKE是H , / CS为H;
其它的控制和地址总线输入是稳定的;
数据总线输入浮动
所有银行闲置;
TCK TCK = ( IDD) ;
CKE是H , / CS为H;
其他的控制和地址总线输入切换;
数据总线输入切换
所有银行开放;
快PDN退出
TCK TCK = ( IDD) ;
刘健( 12 ) = 0
CKE为L ;
其它的控制和地址
公交车的投入是稳定的;
慢PDN退出
数据总线输入是
刘健( 12 ) = 1
漂浮的
所有银行开放;
。 TCK TCK = ( IDD ) , tRAS的= tRAS的最大值( IDD ) ,激进党=激进党( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
其他的控制和地址总线输入切换;
数据总线输入切换
所有银行开放,连续的突发读取, IOUT = 0毫安;
BL = 4, CL = CL (IDD) ,AL = 0;
。 TCK TCK = ( IDD ) , tRAS的= tRAS的最大值( IDD ) ,激进党=激进党( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线输入切换;
数据模式是相同IDD4W
所有银行开放,连拍写入;
BL = 4, CL = CL (IDD) ,AL = 0;
。 TCK TCK = ( IDD ) , tRAS的= tRAS的最大值( IDD ) ,激进党=激进党( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线输入切换;
数据总线输入切换
工作电流
( ACT - PRE )
IDD0
mA
工作电流
( ACT - READ - PRE )
IDD1
-8E
-6E
-5C
100
95
90
100
95
90
130
120
110
mA
预充加电
下来备用
当前
IDD2P
-8E
-6E
-5C
10
10
10
10
10
10
10
10
10
mA
预充电安静
待机电流
IDD2Q
-8E
-6E
-5C
35
30
25
35
30
25
35
30
25
mA
空闲待机电流
IDD2N
-8E
-6E
-5C
40
35
30
35
35
30
20
20
20
90
80
65
40
35
30
35
35
30
20
20
20
90
80
65
40
35
30
35
35
30
20
20
20
90
80
65
mA
主动掉电
待机电流
-8E
IDD3P -F -6E
-5C
-8E
IDD3P -S -6E
-5C
-8E
-6E
-5C
mA
mA
主动待机
当前
IDD3N
mA
工作电流
(突发读取
操作)
IDD4R
-8E
-6E
-5C
160
140
120
160
140
120
200
175
150
mA
工作电流
(突发写
操作)
IDD4W
-8E
-6E
-5C
160
140
120
160
140
120
200
175
150
mA
数据表E0975E50 ( Ver.5.0 )
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