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    EDE1116AESE-8E-F 参数 Datasheet PDF下载

    EDE1116AESE-8E-F图片预览
    型号： EDE1116AESE-8E-F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1G位DDR2 SDRAM [1G bits DDR2 SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 78 页 / 749 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDE1116AESE-8E-F的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EDE1116AESE-8E-F的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EDE1116AESE-8E-F的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EDE1116AESE-8E-F的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EDE1116AESE-8E-F的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EDE1116AESE-8E-F的Datasheet PDF文件第15页浏览型号EDE1116AESE-8E-F的Datasheet PDF文件第16页浏览型号EDE1116AESE-8E-F的Datasheet PDF文件第17页  
    EDE1108AESE ， EDE1116AESE
    引脚电容（ TA = 25℃ ， VDD和VDDQ = 1.8V
    ±
    0.1V)
    参数
    CLK输入引脚电容
    输入引脚电容
    -8E
    -6E
    符号
    CCK
    引脚
    CK ， / CK
    / RAS ， / CAS ，
    / WE ， / CS ，
    CKE ， ODT ，
    地址
    DQ ， DQS ， / DQS ，
    UDQS ， / UDQS ，
    LDQS ， / LDQS ，
    RDQS ， / RDQS ， DM ，
    UDM ， LDM
    分钟。
    1.0
    1.0
    1.0
    马克斯。
    2.0
    1.75
    2.0
    单位
    pF
    pF
    pF
    笔记
    1
    1
    1
    CIN
    输入/输出引脚电容
    -8E, -6E
    CI / O
    2.5
    3.5
    pF
    2
    注：在1.电容是0.25 pF匹配。
    在0.50pF 2.匹配。
    数据表E1290E30 （版本3.0 ）
    13

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