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EDE1116AESE-8E-F 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDE1116AESE-8E-F
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内容描述: 1G位DDR2 SDRAM [1G bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 78 页 / 749 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE1108AESE , EDE1116AESE
马克斯。
参数
符号
GRADE
×
8
×
16
单位
测试条件
TCK TCK = ( IDD) ;
在每一个tRFC ( IDD)的时间间隔刷新命令;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
其他的控制和地址总线输入切换;
数据总线输入切换
自刷新模式;
CK和/ CK在0V ;
CKE
0.2V;
其他的控制和地址总线输入浮动;
数据总线输入浮动
所有银行交错读取, IOUT = 0毫安;
BL = 4 , CL = CL ( IDD ) , AL =的tRCD ( IDD)
−1
×
TCK ( IDD) ;
TCK TCK = ( IDD )的tRC =的tRC ( IDD ) , TRRD = TRRD ( IDD ) ,
tFAW = tFAW ( IDD ) , tRCD的= 1
×
TCK ( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线的投入是稳定的过程中取消选择;
数据模式是相同IDD4W ;
自动刷新当前
IDD5
-8E
-6E
290
280
290
280
mA
自刷新电流
IDD6
-8E
-6E
10
10
10
10
mA
工作电流
(行交错)
IDD7
-8E
-6E
290
275
350
310
mA
注:1 。
2.
3.
4.
IDD规格测试后,该设备已正确初始化。
输入转换率是由AC输入测试条件规定。
IDD参数指定了ODT禁用。
数据总线由DQ , DM , DQS , / DQS , RDQS和/ RDQS的。 IDD值必须满足所有
EMRS的组合的位10和11 。
5.定义为IDD
L被定义为车辆
VIL (AC) (最大)
H被定义为车辆
VIH (AC) (分)
稳定的被定义为输入稳定在H或L电平
浮动是指在输入VREF = VDDQ / 2
切换的定义如下:
输入的地址和控制H和L之间变化(每两个时钟周期)每隔一个时钟周期
信号,并投入DQ信号每隔数据传输(每时钟周期一次) H和L之间变化
不包括面罩或闪光。
6.请参见AC时序IDD测试条件。
数据表E1290E30 (版本3.0 )
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