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EDE2508AASE-AE-E 参数 Datasheet PDF下载

EDE2508AASE-AE-E图片预览
型号: EDE2508AASE-AE-E
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内容描述: 256M位DDR2 SDRAM用于Hyper DIMM [256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 66 页 / 673 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE2508AASE / 16AASE - DF , -BE , -AE
建议的直流工作条件( SSTL_18 )
参数
电源电压
电源电压输出
电源电压为DLL
输入参考电压
终止电压
DC输入逻辑高
DC输入低
AC输入逻辑高
AC输入低
符号
VDD
VDDQ
VDDL
VREF
VTT
VIH (DC)的
VIL (DC)的
VIH (AC)的
VIL (AC)的
分钟。
1.8
1.8
1.8
0.49
×
VDDQ
VREF
0.04
VREF
+
0.125
−0.3
VREF
+
0.250
典型值。
1.85
1.85
1.85
马克斯。
1.9
1.9
1.9
VREF
+
0.04
VDDQ
+
0.3V
VREF - 0.125
VREF
0.250
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
笔记
4
4
4
1, 2
3
0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ
VREF
注:1. VREF的值可以由用户进行选择,以提供最佳的噪声容限的系统。通常
VREF值预计是约0.5
×
发送设备和VREF的VDDQ预期
在VDDQ跟踪变化。
2.峰值到峰值AC噪声对VREF不得超过
±2%
VREF (DC)。
3. VTT的发送装置的必须跟踪接收装置的VREF。
4. VDDQ轨道与VDD , VDDL跟踪与VDD 。 AC参数测量VDD , VDDQ和
VDDL绑在一起。
初步数据表E0515E12 (版本1.2 )
6