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EDE2508AASE-AE-E 参数 Datasheet PDF下载

EDE2508AASE-AE-E图片预览
型号: EDE2508AASE-AE-E
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内容描述: 256M位DDR2 SDRAM用于Hyper DIMM [256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 66 页 / 673 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE2508AASE / 16AASE - DF , -BE , -AE
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
64球FBGA
( × 8的组织)
1
A
NC
B
C
D
E
VDD
NU / / RDQS
VSS
F
G
VDDQ
H
J
VDDL VREF
K
CKE
L
NC
M
A10
N
VSS
P
A7
R
VDD
A12
NC
( TOP VIEW )
NC
NC
A9
A11
A8
VSS
R
VDD
A12
NC
NC
NC
A3
A5
A6
A4
P
A7
A9
A11
A8
VSS
A1
A2
A0
VDD
N
VSS
A3
A5
A6
A4
BA0
BA1
/ CAS
/ CS
M
A10
A1
A2
A0
VDD
/ WE
/ RAS
/ CK
ODT
L
NC
BA0
BA1
/ CAS
/ CS
VSS
VSSDL
CK
VDD
K
CKE
/ WE
/ RAS
/ CK
ODT
DQ4
DQ1 VDDQ
VSSQ
DQ3
VDDQ
DQ2
DQ0
VSSQ
VDDQ
DQ5
H
DQ4
J
VDDL VREF
VSS
VSSDL
CK
VDD
VSSQ
DQ3
DQ2
VSSQ
DQ5
DQ6 VSSQ
DM / RDQS
VSSQ / DQS VDDQ
的DQ
VSSQ
DQ7
F
DQ6
G
VDDQ
DQ1 VDDQ
VDDQ
DQ0
VDDQ
VSSQ
LDM
LDQS VSSQ
DQ7
2
NC
3
7
8
NC
9
NC
A
VDD
B
DQ14 VSSQ UDM
C
VDDQ
D
E
VDD
NC
VSS
VSSQ / LDQS VDDQ
DQ9 VDDQ
VDDQ
DQ8
VDDQ
UDQS VSSQ DQ15
NC
VSS
VSSQ / UDQS VDDQ
1
2
84球FBGA
( × 16组织)
3
7
8
9
DQ12 VSSQ DQ11
DQ10 VSSQ DQ13
( TOP VIEW )
引脚名称
A0到A12
BA0 , BA1
DQ0到DQ15
DQS , / DQS
UDQS , / UDQS
LDQS , / LDQS
RDQS , / RDQS
/ CS
/ RAS , / CAS , / WE
CKE
CK , / CK
DM , UDM , LDM
功能
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
差分数据选通信号读
芯片选择
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
引脚名称
ODT
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREF
VDDL
VSSDL
NC *
NU *
1
2
功能
ODT控制
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
输入参考电压
电源电压为DLL电路
地面的DLL电路
无连接
不可用
注意事项: 1.不与内部芯片连接。
2.不要使用除保留功能。
初步数据表E0515E12 (版本1.2 )
3