EDJ1108BABG ， EDJ1116BABG
建议的直流工作条件（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V
±
0.075V)
参数
电源电压
电源电压DQ
输入参考电压
输入参考电压DQ
符号
VDD
VDDQ
VREFCA （DC）的
VREFDQ （DC）的
分钟。
1.425
1.425
0.49
×
VDD
0.49
×
VDDQ
典型值。
1.5
1.5
0.50
×
VDD
马克斯。
1.575
1.575
0.51
×
VDD
单位
V
V
V
V
笔记
1, 2
1, 2
3, 4
3, 4
0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ
注：1.在任何条件下的VDDQ必须小于或等于VDD。
2. VDDQ跟踪与VDD 。 AC参数测量VDD和VDDQ绑在一起。
3. VREF交流峰值噪声可能不允许VREF从VREF （ DC）超过偏离
±1%
VDD （为
参考：约
±15
毫伏） 。
4.供参考：约。 VDD / 2
±
15毫伏。
AC和DC输入测量级别（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V
±
0.075V)
单端交流和直流输入电平的命令和地址
参数
DC输入逻辑高
DC输入逻辑低
AC输入逻辑高
AC输入逻辑低
AC输入逻辑高
AC输入逻辑低
符号
VIHCA （DC）的
VILCA （DC）的
VIHCA （AC）的
VILCA （AC）的
分钟。
VREF
+
0.100
VSS
VREF
+
0.175
*
2
典型值。
马克斯。
VDD
VREF
−
0.100
*
*
2
单位
V
V
V
V
V
V
笔记
1
1
1
1
1
1
VREF
−
0.175
2
VIHCA （ AC150 ） VREF
+
0.150
VILCA （ AC150 ）
*
2
VREF
−
0.150
注：1.对于除/ RESET输入专用管脚; VREF = VREFCA 。
2.请过冲和下冲规格部分。
单端交流和直流输入电平为DQ和DM
参数
DC输入逻辑高
DC输入逻辑低
AC输入逻辑高
DDR3-800 ， 1066
DDR3-1333 ， 1600
AC输入逻辑低
DDR3-800 ， 1066
DDR3-1333 ， 1600
符号
VIHDQ （DC）的
VILDQ （DC）的
VIHDQ （AC）的
VIHDQ （AC）的
VILDQ （AC）的
VILDQ （AC）的
分钟。
VREF
+
0.100
VSS
VREF
+
0.175
VREF
+
0.150
*
*
2
2
典型值。
马克斯。
VDD
VREF
−
0.100
*
*
2
2
单位
V
V
V
V
V
V
笔记
1
1
1, 3
1, 3
1, 3
1, 3
VREF
−
0.175
VREF
−
0.150
注： 1。对于DQ和DM ： VREF = VREFDQ 。
2.请过冲和下冲规格部分。
3.单端摆幅要求DQS ， / DQS是350毫伏（峰 - 峰值） 。差分摆幅要求
为DQS ， / DQS是700毫伏（峰 - 峰值） 。
数据表E1248E40 （版本4.0 ）
8
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
